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东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础IX 试 卷（作业考核 线上2） A 卷（共 6 页） 总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分
一、(40分) 单项选择题（选一个正确答案填入括号里，每题2分） 1.P型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。（ ） A、电子 B、空穴 C、三价元素 D、五价元素 2.稳压管的稳压区是其工作在（ ）。 A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 3.二极管电路如图1所示，设二极管均为理想的，则电压Uab为（ ）。
图1 A、-12V B、-6V C、0V D、+6V 4.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为-9V、-6.2V和-6V，则这只三极管属于（ ）。 A、硅PNP型 B、硅NPN型 C、锗PNP型 D、锗NPN型 5. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 （ ）。 A、减小温漂 B、增大放大倍数 C、 提高输入电阻 6.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的（ ）， A、差 B、和 C、 平均值 7. 差动式放大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的（ ）。 A、差 B、和 C、 平均值 8. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用（ ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 9. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第二级应采用（ ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 10. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 （ ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 11. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第二级应采用 （ ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 12. 根据要求选择合适的反馈组态。 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 （ ）。 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 13. 根据要求选择合适的反馈组态。 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）。 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 14. 根据要求选择合适的反馈组态。 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ ）。 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 15. 根据要求选择合适的反馈组态。 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）。 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 16.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。电路中D1和D2管的作用是消除 （ ）。
图2 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 17.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。静态时，晶体管发射极电位UEQ（ ）。 A、＞0V B、＝0V C、＜0V 18.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。最大输出功率POM （ ） 。 A、≈28W B、＝18W C、＝9W 19.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。当输入为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压 （ ） 。 A、为正弦波 B、仅有正半波 C、仅有负半波 20.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω。若D1虚焊，则T1管 （ ） 。 A、可能因功耗过大烧坏 B、始终饱和 C、始终截止
二、(10分) 判断题（每题1分） 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。（ ） 2. 截止失真和饱和失真不可能同时产生。（ ） 3. 稳压管只能工作在反向击穿区。（ ） 4. 最大不失真输出电压幅值为放大电路的直流参数。（ ） 5. 差动式放大电路的共模抑制比KCMR越大，说明电路的交流放大倍数越大。（ ） 6.运算放大器的开环应用是指运算放大器的输出无负载。（ ） 7.为满足振荡的相位条件，RC文氏桥振荡器中的放大器的输出信号与输入信号之间的相位差应为180゜。（ ） 8.为了有效的抑制零点漂移，集成运算放大器通常采用阻容耦合的连接方式。（ ） 9.为了保证二极管正向导通，可以将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端。（ ） 10.放大电路引入负反馈的主要目的是为了增强电路的放大能力。（ ）
三、（10分）半导体器件的分析。 (每题5分) 1、电路如图3所示，设输入电压ui是幅值为12V的正弦波，试分析D1，D2工作状态，并画出uo的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。
2、根据图4所示的晶体管型号及实测对地直流电压数据（设直流电压表的内阻非常大），分析：(1)管子是锗管还是硅管？(2)管子的工作状态（放大、截止、饱和或损坏）。
四、多级放大电路的分析与计算。 (15分) 两级放大电路如图5所示。已知β1＝25，β2＝100，UBE1＝0.7V，UBE2＝-0.2V。求：(1)为了使ΔUs＝0时，UC2＝4V，Rb的阻值应为多大？(2)Rb选用(1)中确定的阻值，计算Aus＝？(3)若电阻Rb与T1管基极断开，两管的集电极静态电位Uc1和Uc2各是多少？
五、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图6所示，已知VCC=12V，Rbl=40kΩ，Rb2=20kΩ，Rc=RL=2kΩ，UBE=0.7V，β=50，Re=2kΩ，UCES≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号 的增大，输出信号 也增大，若输出 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算 和 。
六、集成运放的分析与计算。 (10分) 电路如图7所示，设UI1=5V，UI2=5.1V，计算理想情况下，（1）当合上电源4.9S瞬间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少？（2）当合上电源5.1S瞬间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少？
图7 奥鹏，国开，广开，电大在线，各省平台，新疆一体化等平台学习
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